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我国自主研发生产的2兆位相变存储器交付使用
12月16日下午,AMT&AMS首款PCM产品EEPROM交付暨第二款产品NOR FLASH发布仪式在淮安成功举行,宣布首款自主研发生产的基于相变存储材料的2兆位相变存储器EEPROM——“溥元611”正式交付。

现代快报讯(记者 张海峰)12月16日下午,AMT&AMS首款PCM产品EEPROM交付暨第二款产品NOR FLASH发布仪式在淮安成功举行,宣布首款自主研发生产的基于相变存储材料的2兆位相变存储器EEPROM——“溥元611”正式交付。

据介绍,江苏时代全芯存储科技股份有限公司(AMT),是中国获得IBM核心集成电路技术专利的企业。经过十年引进、消化、自主创新,AMT于今年8月发布首款自主研发生产的基于相变存储材料的2兆位相变存储器EEPROM——“溥元611”,成为国内首批商业化量产相变存储器的公司,也是继美光、三星之后少数几个掌握相变存储器研发、生产工艺和自主知识产权的公司。目前,该产品经过后端封装,内部产品测试及客户应用测试,已满足交付条件;与此同时,公司宣布第二款产品基于相变存储材料的NOR FLASH下线。

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